سامسونج تطرح أصغر وحدة ذاكرة بسعة 2 جيجا بايت
أعلنت شركة سامسونج إلكترونيكس الرائدة عالميا في تكنولوجيا وحدات الذاكرة المتقدمة عن طرحها لأصغر وحدة ذاكرة DDR3 بسعة 2 جيجا بايت، وذلك عبر استخدامها لتقنية 50nm-class، حيث تبلغ نسبة إنتاجية 60% أعلى من إنتاج أجهزة DDR2، كما تسمح وحدة الذاكرة DDR3 باستخدام ما يزيد عن 16 جيجا بايت (GB) RIMMs (المسجلة في خط وحدة الذاكرة) التي تستهلك نسبة 40% من طاقة وحدة الذاكرة DDR3 ذات سعة 1 جيجا بايت أو حتى أقل. وقال جيم إليوت، نائب مدير سامسونج لوحدات الذاكرة شبه الموصلة لقد ركزنا جهودنا في تحقيق أقصى قدر من بدائل الكثافة وحفظ الطاقة مما يجعل 2Gb DDR3 مرنا بما فيه الكفاية ليناسب احتياجات المصممين. كما تمكن الوحدة الجديدة من استخدام ما يزيد عن 8 جيجا بايت من RIMMs (المسجلة في خط وحدة الذاكرة) وSODIMMs (مخطط الوحدة الصغيرة لخط وحدة الذاكرة) وUDIMMs (غير المسجلة في خط وحدة الذاكرة) ويتم ذلك دون الحاجة إلى تراص المكونات، بالإضافة إلى تصميم وحدة الذاكرة 2Gb DDR3 RIMMs إلى 16GBs عن طريق إضافة مجموعة dual-die.
19/10/08, (08:02 AM)
رد: اخبار( الأحد 20/10/1429هـ ) 19/ أكتوبر/2008
العرض المتطور
